Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.
Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В.
Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ.
Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок.
Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100
200 мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее распространение получила серия 537; Iпотр 60 мА (режим обращения) и Iпотр=0,001 5 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим хранения с пониженным Uпит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать работу ОЗУ от резервных батарей.Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью 256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 1
8 мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в целом.Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.\
1) tвыб 220 мс.
2) Рпотр: хранение Uп=5В – 5,25 мВт
Uп=2В – 0,6 мВт
обращение - 370 мВт
3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА
обращение – 70 мА
4) Диапазон рабочих
температур - 10
+ С.Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АО
А10 адресных линий и DO D7 линий шины данных.Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:
1)
/RE - № 212) CE - № 18
3) OE - № 20
Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:
- режим хранения данных
- режим считывания данных
- режим записи данных
Таблица истинности:
/RE | DO D7 | |||
Хранение | X | 1 | X | Z |
Запись | O | O | X | «0» или «1» |
Считывание 1 | 1 | O | O | «0» или «1» |
Считывание 2 | 1 | O | 1 | Z |
Запись и считывание производится по 8 бит. При считывании можно запретить вывод информации (
=1). В качестве управляющих сигналов можно использовать сигналы WR, RD, CSO (организация сигнала CSO будет рассмотрена ниже). К шине адреса | 8 | АО | RAM | К шине данных |
7 | А1 | D0 | 9 | |
6 | А2 | D1 | 10 | |
5 | А3 | D2 | 11 | |
4 | А4 | D3 | 13 | |
3 | А5 | D4 | 14 | |
2 | А6 | D5 | 15 | |
1 | А7 | D6 | 16 | |
23 | А8 | D7 | 17 | |
22 | А9 | |||
19 | А10 | |||
WR | 21 | WE/RE | Uп | 24 |
RD | 20 | OE | GND | 12 |
CSO | 18 | CE |
1.2.8. Постоянное запоминающее устройство.