Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.
Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В.
Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ.
Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок.
Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100
Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью 256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 1
Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.\
1) tвыб 220 мс.
2) Рпотр: хранение Uп=5В – 5,25 мВт
Uп=2В – 0,6 мВт
обращение - 370 мВт
3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА
обращение – 70 мА
4) Диапазон рабочих
температур - 10
Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АО
Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:
1)
2) CE - № 18
3) OE - № 20
Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:
- режим хранения данных
- режим считывания данных
- режим записи данных
Таблица истинности:
| | | DO | |
Хранение | X | 1 | X | Z |
Запись | O | O | X | «0» или «1» |
Считывание 1 | 1 | O | O | «0» или «1» |
Считывание 2 | 1 | O | 1 | Z |
Запись и считывание производится по 8 бит. При считывании можно запретить вывод информации (
| | АО | RAM | К шине данных |
| А1 | D0 | 9 | |
| А2 | D1 | 10 | |
| А3 | D2 | 11 | |
| А4 | D3 | 13 | |
| А5 | D4 | 14 | |
| А6 | D5 | 15 | |
| А7 | D6 | 16 | |
| А8 | D7 | 17 | |
| А9 | |||
19 | А10 | |||
WR | 21 | WE/RE | Uп | 24 |
| 20 | OE | GND | 12 |
| 18 | CE |
1.2.8. Постоянное запоминающее устройство.