Смекни!
smekni.com

Управление тюнером спутникового телевидения (стр. 6 из 26)

Статические ОЗУ на МОП транзисторах, несмотря на среднее быстродействие, получили широкое распространение, что объясняется существенно большей плотностью размещения ячеек на кристалле, чем у БП ОЗУ.

Для рМОП удалось уменьшить геометрические размеры ЗЭ и снизить напряжение питания до 15 В.

Для ОЗУ пМОП удалось ещё больше уменьшить геометрические размеры, получить в 2,5 раза большую скорость переключения. Единое напряжение питания +5В обеспечивает непосредственную совместимость таких ОЗУ по логическим уровням с микросхемами ТТЛ.

Элементы ОЗУ на кМОП VT используются для построения статических ОЗУ только при необходимости достижения min Рпотр. Также при переходе к режиму хранения Рпотр уменьшается на порядок.

Для статических ОЗУ достигнута ёмкость 64 Кбит при организации 16 разрядов и времени выборки до 6 мс. Iпотр статических БП ОЗУ 100

200 мА. Широко применяются схемы на кМОП-VT, среди которых наибольшее распространение получила серия 537; Iпотр
60 мА (режим обращения) и Iпотр=0,001
5 мА (хранение). В большинстве схем предусмотрен режим хранения с пониженным Uпит=2 В. Это позволяет наиболее просто реализовать работу ОЗУ от резервных батарей.

Динамические ОЗУ представлены в основном серией КР565 с max ёмкостью 256х1 разряд и min времени выборки 150 мс. Но необходимо постоянное восстановление информации – регенерации, период которой составляет 1

8 мс. Для регенерации нужны дополнительные схемы, что усложняет схему в целом.

Дальнейшее рассмотрение будем вести на примере статического ОЗУ 2Кх8 с общим входом и выходом типа 537РУ10.\

1) tвыб

220 мс.

2) Рпотр: хранение Uп=5В – 5,25 мВт

Uп=2В – 0,6 мВт

обращение - 370 мВт

3) Iпотр: хранение – 3 10-4 мА

обращение – 70 мА

4) Диапазон рабочих

температур - 10

+
С.

Усиление вх-вых сигналов до уровней ТТЛ осуществляется с помощью вых. формирователей. Т.к. ОЗУ организовано как 2Кх8, значит необходимо использовать АО

А10 адресных линий и DO
D7 линий шины данных.

Для управления функционированием схемы используется 3 вывода:

1)

/RE - № 21

2) CE - № 18

3) OE - № 20

Микросхема 537РУ10 функционирует в 3 режимах:

- режим хранения данных

- режим считывания данных

- режим записи данных

Таблица истинности:

/RE

DO

D7
Хранение

X

1

X

Z

Запись

O

O

X

«0» или «1»

Считывание 1

1

O

O

«0» или «1»

Считывание 2

1

O

1

Z

Запись и считывание производится по 8 бит. При считывании можно запретить вывод информации (

=1). В качестве управляющих сигналов можно использовать сигналы WR, RD, CSO (организация сигнала CSO будет рассмотрена ниже).

К шине адреса

8

АО

RAM

К шине данных

7

А1

D0

9

6

А2

D1

10

5

А3

D2

11

4

А4

D3

13

3

А5

D4

14

2

А6

D5

15

1

А7

D6

16

23

А8

D7

17

22

А9

19

А10

WR

21

WE/RE

Uп

24

RD

20

OE

GND

12

CSO

18

CE


1.2.8. Постоянное запоминающее устройство.