Управление тюнером спутникового телевидения (стр. 5 из 26)
Чтобы выполнить функции начальной установки МП, к входу
(№ 36) МП подключаются элементы, соединенные в соответствии со схемой, показанной на рисунке 3.При подаче питания конденсатор заряжается до напряжения +5 В через R1. Когда напряжение достигает некоторого определенного значения (min 2.4 В), выполнение команды «сброс» завершится и система начнет выполнение программы с адреса 0000. После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения.
+5В 
VD1 R1  |
C1  |
Рисунок 3.
1.2.6. Запоминающие устройства.
Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе.
| Приме-няемые элементы | Время выборки,мс | Информа-ционная ёмкость | Плотность размещ. информац., бит/см3 | Энергопо- требление при хранении информац. |
| БП VT МОП структуры Ферритовые сердечники | 50  300 250 103350 1200 | 103 105103 106106 108 | До 200 200 300 10 20 | Есть Есть Нет |
Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные.
1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.
ОЗУ предназначены для записи, хранения и считывания двоичной информации. Структурная схема представлена на рисунке 4.
 |
 |
А0 Аn  |
 |
 |
 |
DI 
СS 
SEY  |
НК – накопитель; DCX, DCY – дешифраторы строк и столбцов; УЗ – устройство записи, УС – устройство считывания, УУ – устройство управления.
Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор. Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ. Основные характеристики динамических ОЗУ:
| I | II | III | IV | |
| Наибольшая ёмкость, бит/кристалл | 4К | 16К | 64К | 256К |
| Время выборки считывания, мс | 200 400 | 200 300 | 100 200 | 150 200 |
| Рпотр, мВт/бит | 0,1 0,2 | 0,04 0,05 | 4 10-3 5 10-3 | 3 10-3 4 10-3 |
Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как правило, имеют один номинал питающего напряжения.
Типовые характеристики СЗУ:
| ЭСЛ | ТТЛ | ТТЛШ | U2Л | пМОП | кМОП | |
| Ёмкость, бит/кристалл | 256 16К | 256 64К | 1К 4К | 4К 8К | 4К 16К | 4К 16К |
| Время выборки считывания, мс | 10 35 | 50 100 | 50 60 | 150 | 45 100 | 150 300 |
| Рпотр , мВт/бит | 2 0,06 | 15 0,03 | 0,5 0,3 | 0,1  0,07 | 0,24 0,05 | 0,02 |
Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000
100мкм2 и снизить мощность потребления до нескольких микроватт на бит, при tвкл=50 150 мс.