Чтобы выполнить функции начальной установки МП, к входу
При подаче питания конденсатор заряжается до напряжения +5 В через R1. Когда напряжение достигает некоторого определенного значения (min 2.4 В), выполнение команды «сброс» завершится и система начнет выполнение программы с адреса 0000. После отключения питания произойдет разрядка конденсатора С1 и микропроцессор будет находиться в исходном состоянии до тех пор, пока напряжение на конденсаторе С1 не достигнет требуемого значения.
|
|
Рисунок 3.
1.2.6. Запоминающие устройства.
Постоянная тенденция к усложнению задач, решаемых с помощью микропроцессорной техники, требует увеличение объёма и ускорение процесса вычислений. Однако скорость решения любой задачи на ЭВМ ограничена временем ограничения к памяти, т.е. к ОЗУ. В таблице сравниваются характеристики ОЗУ, выполненной на разной элементно-технологической основе.
Приме-няемые элементы | Время выборки,мс | Информа-ционная ёмкость | Плотность размещ. информац., бит/см3 | Энергопо- требление при хранении информац. |
БП VT МОП структуры Ферритовые сердечники | 50 250 350 | 103 103 106 | До 200 200 10 | Есть Есть Нет |
Полупроводниковые ЗУ по режиму занесения информации делятся на оперативные и постоянные, по режиму работы – статистические и динамические, по принципу выборки информации – на устройства с произвольной и последовательной выборкой, по технологии изготовления – на биполярные и униполярные.
1.2.7. Оперативные запоминающие устройства.
ОЗУ предназначены для записи, хранения и считывания двоичной информации. Структурная схема представлена на рисунке 4.
|
|
|
|
|
|
|
НК – накопитель; DCX, DCY – дешифраторы строк и столбцов; УЗ – устройство записи, УС – устройство считывания, УУ – устройство управления.
Как уже отмечалось, ОЗУ можно разделить на 2 типа: статические и динамические. В накопителях статических ОЗУ применяются триггерные элементы памяти. В ОЗУ динамического типа запоминающим элементом служит конденсатор. Динамические ОЗУ имеют ряд преимуществ по сравнению со статистическими ОЗУ. Основные характеристики динамических ОЗУ:
I | II | III | IV | |
Наибольшая ёмкость, бит/кристалл | 4К | 16К | 64К | 256К |
Время выборки считывания, мс | 200 | 200 | 100 | 150 |
Рпотр, мВт/бит | 0,1 | 0,04 | 4 10-3 | 3 10-3 |
Преимуществом статистических ОЗУ перед динамическими является отсутствие схемы регенерации информации, что значительно упрощает статические ЗУ, как правило, имеют один номинал питающего напряжения.
Типовые характеристики СЗУ:
ЭСЛ | ТТЛ | ТТЛШ | U2Л | пМОП | кМОП | |
Ёмкость, бит/кристалл | 256 | 256 | 1К | 4К | 4К | 4К |
Время выборки считывания, мс | 10 | 50 | 50 | 150 | 45 | 150 |
Рпотр , мВт/бит | 2 | 15 | 0,5 | 0,1 | 0,24 | 0,02 |
Наибольшим быстродействием обладают биполярные ОЗУ, построенные на основе элементов ЭСЛ, ТТЛШ. Перспективными являются ОЗУ, построенные на транзисторных структурах U2Л, позволяющих уменьшить площадь ЗЭ до 2000