Смекни!
smekni.com

Разработка конструкции и технологии изготовления устройства Контроллер напряжения аккумул (стр. 4 из 8)

Примем расчётное значение удельной ёмкости материала диэлектрика, исходя из

, тогда
;

Найдём фактическое значение толщины диэлектрического слоя:

;

Найдем площадь верхней обкладки конденсатора:

;

Определим размеры верхней обкладки тонкопленочного конденсатора:

Длина –

;

Ширина –

;

Далее положим, что припуски на совмещение слоёв

;

Находим размеры нижней обкладки:

;

;

Находим размеры диэлектрического слоя:

;

;

Проверка расчёта:

Находим фактические значения относительной погрешности площади верхней обкладки:

;

Находим фактическое значение напряженности электрического поля в конденсаторе:

.

Каждое из условий выполняется.

Обкладки конденсатора будут выполняются из алюминия А99 (ГОСТ 11069-64) при толщине 0,5 мкм. Для повышения адгезии пленки к поверхности подложки нижняя обкладка конденсатора напыляется с подслоем из титана или ванадия.

5.3. Выбор навесных компонентов МСБ (подложки) и печатной платы.

Выбор подстроечных бескорпусных резисторов R2, R7. (Табл. 4).

Табл. 4

Тип

резистора

Классификация.

Вариант

исполнения.

Назначение

Диапазон

номинальных сопротивлений,

Ом

Номи-наль-ная мощ-ность, Вт

Пре­дель-ное

на­пря-жение, В

Допускае-мые отклонения сопротивления, %

Диапазон температур,

Груп-па ТКС,

10-6, 1/оС

Габаритный чертеж корпуса

СП3-28 Керметные компози­ционные бескор­пус­ные одинарные од­нооборотные, с кру­говым переме­ще­нием подвижной системы, для печатного мон­та­жа. Предназначены для работы в цепях переменного, посто­янного и импульсно­го токов. ТКС =(250...500) *10-6, 1/oC 10...1*106 1 1000 10;20

-60…+70

А

Выбор бескорпусного конденсатора С1, как компонента МСБ (подложки)

(оформим результат в виде табл. 5).

Табл. 5

Тип

конден-сатора

Классификация.

Вариант исполнения.

Назначение

Диапазон номинальных емкостей

Номиналь-ное напряже-ние, В

Допус-каемые откло-нения емкости, %

Диапа-зон температур,

оС

Группа ТКЕ,

10-6, 1/оС

Габаритный чертеж корпуса

К53-22 Оксидно - полупроводниковые танталовые незащищенные Предназначены для работы в составе герметизированных узлов аппаратуры в цепях постоянного и пульсирующего токов. 1.5...100 мкФ 3.2 20;30

-60+155

-

Выбор полупроводникового диода VD1 КД522А (его бескорпусный аналог 2Д125Б-5):

5.4. Выбор типоразмера подложки.

Для выбора типоразмера подложки необходимо найти ее площадь

Sп = qs (SR + SC + SН +SK), где qs = 1,5...2,5 - коэффициент дезинтеграции площади, SR , SC , SН , SK - соответственно площади, занимаемые тонкопленочными резисторами, тонкопленочными конденсаторами, навесными компонентами и контактными площадками. Площади SR и SC находят в результате расчета тонкопленочных элементов, SН - по справочным данным на выбранные компоненты. При расчете площади контактных площадок необходимо учитывать, что внешние контактные площадки выполняются размером 1 ´ 1 мм и более. Размеры внутренних контактных площадок определяются видом монтажного соединения (пайка, сварка), типом применяемого монтажного инструмента, конструкцией выводов навесного компонента (металлизированная поверхность, гибкие проволочные и ленточные выводы и т. д.). При сварке гибких выводов средние размеры контактных площадок 0,2 ´ 0,3 мм, при пайке 0,3 ´ 0,4 мм.

Расчёт площади, занимаемой тонкоплёночными резисторами:

Расчёт площади, занимаемой тонкоплёночными конденсаторами:

;

Расчёт площади, занимаемой навесными компонентами МСБ (по справочным данным):

Площадь навесных резисторов R2, R7:

;

Площадь навесного полупроводникового диода

;

Площадь навесного конденсатора С1:

;

Тогда

;

Расчёт площади контактных площадок:

.

Таким образом, площадь подложки равна:

,

где qs – коэффициент дезинтеграции.

Тогда типоразмер подложки, исходя из

выберем:

N типоразмера

6

Ширина, мм

20

Длина, мм

24

6. Разработка конструкции РЭС.

Разработка конструкции РЭС будет произведена по заданным параметрам РЭС, т.е. по определённым параметрам входящих в РЭС конструктивно-технологической единицы (функциональной ячейки).

6.1. Выбор типа конструкции компоновочной схемы блока.

Будем использовать разъёмный тип конструкции.

Конструкция обеспечивает высокую ремонтопригодность: неисправная функциональная ячейка легко вынимается из блока и заменяется на исправную. Конструкция находит применение в автомобильной электроаппаратуре.

В качестве варианта компоновочной схемы блока выберем следущую:

Хотя в полной мере она не обеспечивает необходимые условия для эффективного отвода тепла в случае естественного воздушного охлаждения блока.

На рисунке:

- пакет ФЯ;

- электрические соединители и межъячеечный монтаж;

- элементы лицевой панели и монтаж установочных элементов;

- элементы задней панели, внешние электрические соединители и монтаж;

Полный объём блока Vбл=V1+V2+V3+V4.

6.2. Выбор системы охлаждения.

При выборе системы охлаждения используются следующие исходные данные: тепловой поток, рассеиваемый поверхностью теплообмена (корпуса) конструкции Р, Вт; площадь поверхности теплообмена (корпуса)

; допустимая рабочая температура наименее теплостойкого элемента
,
; максимальная температура окружающей среды
,
; минимальное давление окружающей среды
, мм рт.ст.

Определение значения теплового потока Р через потребляемую от источников питания мощность