Минимально допустимая ширина резистора, обеспечивающая заданную мощность рассеяния
.Таким образом, расчётная ширина резистора равна
.Определение длины резистора по известной ширине:
Полная длина резистора:
Ширина контактной площадки:
Тогда площадь тонкопленочного резистора равна:
Проверка результатов:
Определение фактического значения удельной мощности, рассеиваемой резистором.
Определение фактической относительной погрешности коэффициента формы.
Определение фактической относительной погрешности резистора.
Каждое из условий выполняется.
2) Расчёт резистора R4 с коэффициентом формы К1=0,5:
Положим, что необходимое перекрытие резистивного и проводящего слоёв, а также припуск на совмещение слоёв МСБ соответственно равны значениям:
Находим расчетную длину резистора l = max{lminТ, lminП, lminР}.
Минимальная технологически реализуемая длина
;Минимальная длина резистора, обеспечивающая допустимую относительную погрешность коэффициента формы
м;Минимально допустимая длина резистора, обеспечивающая заданную мощность рассеяния
.Таким образом, расчётная длина резистора равна
м.Определение ширины резистора по известной длине:
м;Полная длина резистора:
м;Ширина контактной площадки:
м;Тогда площадь тонкопленочного резистора равна:
Проверка результатов:
Определение фактического значения удельной мощности, рассеиваемой резистором.
Определение фактической относительной погрешности коэффициента формы.
Определение фактической относительной погрешности резистора.
Каждое из условий выполняется.
Результаты расчётов резисторов оформим в виде таблицы (табл. 2)
Табл. 2
Позиционное обозначение | Номинал , допуск , мощность | Материал | rкв, Ом/кв | k | gRt , % | gR t, % | b , мм | l , мм | n | |
R1 | 33 кОм+10% -2.737 мВт | Сплав РС-3710 | 2000 | 16,5 | 0.004 | 2.0 | 0.68 | 5.0 | 0.9 | __ |
R3 | 5.6 кОм+10% -0.484 мВт | Сплав РС-3710 | 2000 | 2.8 | 0.004 | 2.0 | 0.76 | 1.4 | 0.9 | _ |
R4 | 1 кОм+10% -196мВт | Сплав РС-3710 | 2000 | 0.5 | 0.004 | 2.0 | 4.82 | 2.61 | 0.9 | _ |
R5 | 1 кОм+10% -196мВт | Сплав РС-3710 | 2000 | 0.5 | 0.004 | 2.0 | 4.82 | 2.61 | 0.9 | _ |
R6 | 33 кОм+10% - 2.737 мВт | Сплав РС-3710 | 2000 | 16.5 | 0.004 | 2.0 | 0.68 | 5.0 | 0.9 | _ |
R8 | 5.6 кОм+10% -0.484 мВт | Сплав РС-3710 | 2000 | 2.8 | 0.004 | 2.0 | 0.76 | 1.4 | 0.9 | _ |
5.2. Расчёт тонкоплёночных конденсаторов.
Методика расчёта:
Расчет тонкопленочного конденсатора производится в следующем порядке. По значению C0 и Uр из табличных данных выбирают материал диэлектрика.
Находят толщину диэлектрического слоя, обеспечивающую электрическую прочность конденсатора d = (2...4)Uр/E, где E - диэлектрическая прочность диэлектрика (табл. 2.3 «Методические указания к выполнению курсовой работы»). Обычно d = 0,3...0,5 мкм.
Определяют удельную емкость диэлектрика, при которой выполняется требование к электрической прочности конденсатора C0E = 0,0885e/d, где d выражается в см, C0E - в пФ/см2.
Находят составляющие относительной эксплуатационной погрешности емкости gC0, gCt, gCt и допустимую относительную погрешность площади верхней обкладки:
gS = gC - gC0 - gCt - gCt.
Определяют удельную емкость материала диэлектрика, обусловленную требованием точности номинала емкости конденсатора CoП = C(gS / DL)2[KC / (1 + KC)2], где KC = L/B - коэффициент формы конденсатора. Если нет особых требований к форме конденсатора, полагаем KC = 1.
Принимают расчетное значение удельной емкости материала диэлектрика C0P £ min{C0E, C0П}, которое должно отвечать технически реализуемым уровням C0 из табл.2.3 (Методические указания к выполнению курсовой работы).
Расчёт тонкоплёночных конденсаторов С1(0.01мкФ) и С2(0.01мкФ).
Из табл. 2.3 (Методические указания к выполнению курсовой работы) по значению Uр – рабочее напряжение конденсатора выбираем материал диэлектрика.
Выбранный материал - Моноокись германия (Табл. 3).
Табл. 3
Наименование материала диэлектрика | C0×10-3 , пФ/см | Uр, В | Е×10-6, В/cм | e | ac×104, 1 /oС | ТУ на материал |
Моноокись германия | 15 | 5 | 1.0 | 11...12 | 3 | ЕТО.021.014 ТУ |
Находим толщину диэлектрического слоя, обеспечивающую электрическую прочность конденсатора:
Определим удельную ёмкость диэлектрика, при которой выполняется требование к электрической прочности конденсатора:
Находим составляющие относительной эксплуатационной погрешности ёмкости:
Относительная погрешность ёмкости –
;Относительная погрешность удельной ёмкости диэлектрика –
;Относительная температурная погрешность ёмкости –
;Относительная погрешность старения ёмкости –
;Тогда допустимая погрешность площади верхней обкладки, равна:
Так как нет особых требований к форме конденсатора, полагаем KC = 1;
Абсолютные погрешности выполнения размера, характерные метода фотолитографии DB = DL = 0.01;
Определим удельную емкость материала диэлектрика, обусловленную требованием точности номинала емкости конденсатора:
;