Расчет многокаскадного усилителя (стр. 1 из 2)

Курсовая работа

по усилительным устройствам.

ВАРИАНТ № 7

Выполнил: ст.гр.04 - 414 Уткин С.Ю.

Проверил: Харламов А.Н.

ЭТАП №1

Исходные данные для расчета .

Еп=10 В;Rи=150 Ом; Rк=470 Ом; Rн=510; Сн=15 пФ ;Tмин=-30град; Тmax=50град;

Требуемая нижняя частота : Fн=50 кГц.

Используемый тип транзистора: КТ325В (Si ; N-P-N ; ОЭ)

Нестабильность коллекторного тока -

Параметры транзистора:

Граничная частота - Fгр = 800Мгц.

Uкбо(проб)=15В.

Uэбо(проб)=4В.

Iк(мах)=60мА.

Обратный ток коллектора при Uкб=15В : Iкбо<0.5мкА (при Т=298К).

Статический коэффициент усиления тока базыв схеме с ОЭ:h21=70…210.

Емкость коллекторного перехода: Ск<2.5пФ.(при Uкб=5В)

rкэ(нас.)=40 Ом.

Постоянная времени цепи обратной связи: tк<125 нс.

Для планарного транзистора - технологический параметр

= 6.3

Предварительный расчет.

Исходя из значений Еп и Rк , ориентировачно выберем рабочую точку с параметрами Uкэ=4В и Iкэ=1мА.

Типичное значение , для кремниевых транзисторов:Uбэ=0.65В.

Uкб=Uкэ-Uбэ = 3.35В

=2.857 пФ.

=275Ом - Объемное сопротивление базы.

Iб = Iкэ/h21 = 8.264e-6 - ток базы. Iэ = Iкэ - Iб = 9.9e-4 - ток эмиттера.

rэ = 26е-3/Iэ = 26.217 - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

Параметр n = rэ/rб + 1/h21 = 0.103 (Нормированное относительно Fгр значение граничной частоты)

Для дальнейших расчетов по заданным искажениям в области нижних частот зададимся коэффициэнтами частотных искажений .

Пускай доля частотных искажений , вносимых на нижней частоте разделительным конденсатором Ср , окажеться в к=100 раз меньше чем конденсатором Сэ , тогда коэффициенты частотных искажений

равны: Мнр = 0.99 , а Мнэ = 0.71( Определяются по графику)

= 2.281е-8 Ф;- емкость разделительного конденсатора.

Оптимальное напряжение на эмиттере выбирается из условия :Uэ = Еп/3, это позволяет определить величину Rэ.

Rэ =

=3.361е3 Ом;

=3.361В - Напряжение на эмиттере.

Rф=(Еп - Uкэ)/Iкэ - Rк - Rэ = 2.169е3 Ом;- сопротивление RC - фильтра в коллекторной цепи.

Применение Н.Ч. - коррекции позволяет использовать разделительный конденсатор меньшей емкости.

= 4.062е-9 Ф;- скорректированное значение разделительного конденсатора.

= 9.551е-10 Ф; - емкость фильтра в цепи коллектора.

= 7.889е-8 Ф;- Емкость эмиттера.

Расчет цепи делителя , обеспечивающей заданную температурную нестабильность коллекторного тока.

= 1.487е-6 А; - неуправляемый ток перехода коллектор-база.

=0.2 В; -сдвиг входных характеристик .

=3.813е-5 А. -ток делителя.

= 1.052e5 Ом

=1.291e5Ом

Номиналы элементов, приведенные к стандартному ряду.

Rф=2.2е3Ом; Rэ=3.3е3Ом; Rб1=1е5Ом ; Rб2=1.3е5 Ом; Cр= 4е-9 Ф; Cф= 1е-9 Ф; Cэ=7е-8Ф;

Оценка результатов в программе «MICROCAB»

1. Оценка по постоянному току.

2.1А.Ч.Х. - каскада.

2.2 А.Ч.Х. - по уровню 07.

Реализуемые схемой - верхняя частота - Fв = 2.3Мгц и коэффициент усиления К = 22Дб = 12.6

ЭТАП №2

Задание: Обеспечить за счет выбора элементов либо модернизации схемы

увеличение К в два раза(при этом Fв - не должно уменьшаться) и проверить правильность расчетов на Э.В.М.

РАСЧЕТ.

Требования к полосе частот и коэффициенту усиления:

К = 44Дб = 158 Fн =50 Кгц Fв =2.3Мгц

Uкб=Uкэ-Uбэ = 4.35В

=2.619 пФ.

=300Ом - Объемное сопротивление базы.

Оценка площади усиления и количества каскадов

в усилителе.

=8.954 е7 Гц - Максимальная площадь усиления дифференциального каскада.

Ориентировачное количество каскадов определим по номограммам ,

так как

=39 , то усилитель можно построить на двух некорректированных каскадах.

Требуемая верхняя граничная частота для случая , когда N = 2 ( с учетом , что фn =

=0.64)

Fв(треб)=Fв/фn = 3.574е6 Гц

Требуемый коэффициент усиления одного каскада К(треб)=

= 12.57

Требуемая нижняя граничная частота Fн(треб)=FнХфn =3.218e4

Реализуемая в этом случае площадь усиления

=4.5е7 Гц

Расчет первого (оконечного) каскада.

Определим параметр

= 1.989

Оптимальное значение параметра

=0.055

Этому значению параметра

соответствует ток эмиттера равный:

Iэ =

=2мА

Соответственно Iкэ =

= 2мА и Iб = = 1.5е-5 А .

rэ =

= 14.341 Ом - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.

= 1.388е-11Ф; - емкость эмиттерного перехода.

= 1.75е3 Ом

= 3.562е-9 сек - постоянная времени транзистора.

= 0.008 - относительная частота.

Высокочастотные Y- параметры оконечного каскада.

= 0.061 См- Проводимость прямой передачи ( крутизна транзистора).

= 3е-14 Ф- Входная емкость транзистора .

= 5.02 е-11 Ф -Выходная емкость транзистора.

= 5.456 е-6 См - Проводимость обратной передачи.

= 5.027 е-4 См - Входная проводимость транзистора.

= 4.5е-11 Ф - Входная емкость транзистора.

Реализуемая в этом случае площадь усиления :

= 1.165е8 Гц

Заданный коэффициент усиления обеспечивается при сопротивлении коллектора:

= 347.43 Ом

Расчет элементов по заданным искажениям в области нижних частот.

= 3.294е-8 Ф;- емкость разделительного конденсатора.

Rэ =

=1.68е3 Ом;

=3.077В - Напряжение на эмиттере.

Rф=(Еп - Uкэ)/Iкэ - Rк - Rэ = 704.5 Ом;- сопротивление RC - фильтра в коллекторной цепи.

Применение Н.Ч. - коррекции позволяет использовать разделительный конденсатор меньшей емкости.

= 1.088е-8 Ф;- скорректированное значение разделительного конденсатора.

= 7.87е--9 Ф; - емкость фильтра в цепи коллектора.

= 2.181е-7 Ф;- Емкость эмиттера.

Расчет цепи делителя , обеспечивающей заданную температурную нестабильность коллекторного тока.

=4.351е-5 А. -ток делителя.