2. размещением оборудования в помещениях, удовлетворяющим строительным и санитарным нормам, предъявляемым к данному виду производства;
3. за безопасностью технологического процесса и действующего оборудования;
4. за обеспечением работающих необходимыми средствами индивидуальной защиты.
Инструкция по технике безопасности составляется для каждого вида работы. Она определяет порядок и условия безопасного выполнения работающим данного вида работы, его обязанности и правила поведения в ходе ее выполнения.
К обслуживанию оборудования и работам, связанным с повышенной опасностью (высокое напряжение, высокое газовое давление, вредные вещества и др.), допускаются лица не моложе 18 лет.
В производстве монокристаллов PbSe используются исходные вещества и реагенты, многие из которых обладают токсическими свойствами. Самыми опасными из них являются растворимые (HNO3, NaOH) и летучие (пары Se).При работе с кислотами и щелочами руки защищают резиновыми перчатками. Все работы с соединениями селена проводят в герметичных боксах и вытяжных шкафах при включенной приточно-вытяжной вентиляции.
Для оказания первой (доврачебной) помощи при отравлении соединениями селена пострадавшему дают выпить стакан воды, в которую добавлено 3—4 г лимонной кислоты или столовая ложка уксуса. Полезно также промывание желудка водой. Во всех случаях отравления необходим постельный режим.
Общие правила работы с химическими реактивами сводятся к следующему. Количество находящихся на рабочем месте реактивов не должно превышать их суточной потребности. Все реактивы должны храниться в герметически закрывающихся сосудах, снабженных надписью, характеризующей реактив и его концентрацию. Хранение реактивов без наименований категорически запрещается.
На рабочем, месте реактивы должны храниться под тягой (в вытяжном шкафу), снабженной вытяжной вентиляцией. Все работы с реактивами проводят под тягой, при включенной приточно-вытяжной вентиляции.
При разбавлении кислот их вливают тонкой струей в воду, а не наоборот. При вливании воды в кислоту раствор сильно разогревается, вскипает и разбрызгивается. Растворы кислот и щелочей переливают изготовленным из нержавеющей стали насосом или стеклянным сифоном с резиновой грушей.
Концентрированная азотная кислота, попадая на кожух, вызывает тяжелые ожоги. Пары ее раздражают слизистые оболочки дыхательных путей. Следует иметь в виду, что концентрированная азотная кислота обладает сильными окислительными свойствами и, вступая в контакт с органическими материалами (дерево, хлопчатобумажная ткань и др.), вызывает их возгорание. При этом выделяется ядовитый диоксид азота. Взаимодействие концентрированной азотной кислоты с горючими органическими жидкостями приводит к взрыву.
Защита от электрического тока
Все технологическое оборудование полупроводникового производства имеет электрические приводы и нагревательные устройства такие как весы, дробилки, сушильные печи и т.д. Поэтому обслуживание их сопряжено с опасностью поражения электрическим током.
Вероятность смертельного исхода при поражении электрическим током больше чем при воздействии других производственных вредностей.
Для защиты от прикосновения к находящимся под напряжением частям установок применяют изоляцию, ограждение, дистанционное управление, блокировку и предохранительную сигнализацию. Надежность изоляции контролируют, замеряя ее электрическое сопротивление. Все открытые токоподводы и контакты должны быть надежно ограждены кожухом или сетчатым ограждением.
Электромагнитные поля, возникающие при работе высокочастотных генераторов, также представляют собой определенную профессиональную вредность. Они вызывают нарушения нормальной работы нервной, сердечно-сосудистой и кроветворной систем, а также других органов.
Правила безопасной работы с газами
В производстве объемных монокристаллов полупроводников широко применяют различные газы. В их число входят такие горючие и взрывоопасные, как водород, и инертные — аргон. Утечка водорода может привести к взрыву. Инертные газы, попадая в атмосферу производственного помещения, снижают содержание в ней кислорода, ухудшая тем самым условия труда работающих. Поэтому оборудование, работающее с использованием газов, и подводящие их трубопроводы должны быть герметичными.
Эксплуатация установок, рабочие камеры которых находятся под высоким давлением газа, сопряжена с опасностью, так как взрыв или даже сильная утечка газа могут привести к серьезным травмам обслуживающего эти установки персонала. Поэтому камеры установок высокого давления (более 0,7 ат), а также баллоны для сжатых газов относятся к сосудам высокого давления, эксплуатация которых подчиняется особым правилам.
Камеры установок высокого давления и их элементы (трубопроводы, вентили и т, п.) изготовляются специализированными предприятиями по утвержденному проекту. Какие-либо изменения в их конструкции без согласования с выполнившей проект конструкторской организацией не допускаются.
Установки, работающие с водородом, должны быть снабжены в местах его выделения местными отсосами или устройствами для сжигания. Запрещается подавать водород в установки, имеющие внутри горячие детали (нагреватели, кварцевые трубы и др.). Открывать рабочие камеры установок, в которых проводились процессы в среде горючих или токсичных газов, можно только после тщательной, в течение 10—15 мин продувки инертным газом.
Помещения, в которых проводятся работы с пожаро- и взрывоопасными веществами, должны быть оборудованы автоматическими средствами пожаротушения и пожарной сигнализации. При пользовании газами и легковоспламеняющимися летучими веществами, способными образовывать с воздухом взрывоопасные смеси, помещения должны быть также оборудованы устройствами для автоматического контроля состава воздуха. Горючие газы и легковоспламеняющиеся жидкости должны централизованно подаваться по трубопроводам непосредственно к местам потребления. Во всех остальных случаях транспортировать эти газы и жидкости следует в герметичных контейнерах. Пустые контейнеры хранят в специально выделенных и оборудованных для этой цели помещениях, расположенных вдали от производственных.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В данной курсовой работе приводиться разработка схемы получения монокристаллеческого объразца селенида свинца по методу Чохральского.
Для выращивания PbSe с удельной проводимостью 2 Ом·см с диаметром 3 cм и длинной 15 см 150 кг/ год нам необходимо 128,152 кг / год Pb и 48,552 кг/ год Se, при скорости вытягивания 6 мм/час.
Общий цикл процесса выращивания одного кристалла PbSe длиной 15 см и диаметром 3 см составляет 48,09 часов, что примерно равно двум суткам.
Выход годного продукта составляет 68,07 %. Количество слитков выращенных за год – 201,9 (примерно 202).
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ
1. Абрикосов Л. Х. Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений АlVВVl. Наука 1975 г. 195 с.
2. Нашельский А. Я. Производство полупроводниковых материалов. Металлургия 1982 г. 311 с.
3. Материалы используемые в полупроводниковых приборах. Под ред. Хогарта. Мир 1968 г. 348 с.
4. Пасынков В. В. Сорокин В. С. Материалы электронной техники. Высшая школа 1986 г. 367 с.
5. Химическая энциклопедия IV том. Большая российская энциклопедия 1999 г. 783 с.
6. Лодиз Р. Паркер Р. Рост монокристаллов. Мир 1974 г. 540 с.
7. Мошников В. А., Риппинен А. Н., Чеснокова Д. Б. Исследование фазового состава, структуры и свойств пленок на основе PbSe в зависимости от условий их термообработки. ЦНИТИ “Техномаш”. 2003 с. 105-108.
8. Мошников В. А., Риппинен А. Н., Чеснокова Д. Б. Управление составом и свойстрвми слоев PbSe в процессе их получения. ЦНИТИ “Техномаш”. 2003 с. 105-108.
9. Dimitrons A. Mehl Michael. Electronic structure calculation of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe. J. J. Phus. And Chem. Solids 2002. 63 № 5 стр 833-841 Англ.
10. An Changhua, Tang Kaibin, Jim Ying A Simple method to synthesize PbS, PbSe nanocrystals. J. Cryst. Crowth. 2003. 253, № 1-4 стр. 467-471 Англ.
11. Фреiк А.Д., Довчий О.Я., Рубiнський Б.М. Напрямленi неоднорiдностi електричных параметрiв i атомнi дефекти у тонких плiвках халькогiнiдiв свинцю,вiдпалених в атмосфiрних кисию. Укр. Фiз. Ж. 2003. 48, № 10 с 1086-1090. Укр.
12. Fedorov A., Sipatov A., Volobuev V. Diffusion and Kirkendall effect in PbSe - EuS multilager. Thin Solid Films. 2003. 425 № 1-2 с. 287-291 Англ.
13. Rumianowski Roman T., Dygdala Roman S., Jung Wojciech. Growth of PbSe thin films on Si substrates by pulsed laser deposition method. J. Cryst. Growth, 2003. 252, №1-3 с230-235 Англ.
14. Иванов Д. К., Богаев С. И. Электрохимическое получение полупроводниковых структур Se / PbSe и Pb1-xSnxS / SnS. Тезисы докладов II Всероссийской студенческой научной конференции. Екатеринбург, 25-27 апр., 2001.4.1. УрГУ 2001. с 5. Рус.
15. Rogacheva E.I., Navrina T.V. Quantum size effect in PbSe quantum wells. Appl. Phys. Lett. 2002.80. № 15 с 2690-2692.
16. Aigle M., Passher H., Pinczolits M. Optical characterization of self – organized quantum dot superlatives. Phys. Status solid: B 2001.224 №1 c. 223-227 Анг.
17. Зыков В. А., Гаврикова Т.А., Ильин В.И. Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях. Физика и техн. полупровод. 2001.35 №11 с.1311-1315.
18. Beaunier L., Cachet H., Froment M. Epitaxial electodeposition of lead selenide films on indium phosphide single crystal. Mater. Sci. Semicond. Process. 2001.4 № 5 c.433-436.
19. Некрасов Б. В. Основы общей химии I. Химия 1973 г. с. 656.
20. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю. В., Пасынкова В. В., Тареева Б.М. том 3. Инергоатомиздат 1988 г. с. 728.
21. Шелимова Л. Е. Диограммы состояния. Москва 1991 г. с. 325.
22. Барышев Н. С. Свойства и применение ускозонных полупроводников. Унипресс 2000 г. с. 433.
23. Чистиков Д. Ю., Райков Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Москва Металлургия 1979 г. с 408.