Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
2000
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
1. Краткая характеристика диода............................................ 4
2. Паспортные параметры:....................................................... 4
2.1. Электрические.......................................................... 4
2.2. Предельные эксплуатационные............................... 4
3. Вольт-амперная характеристика.......................................... 5
3.1. При комнатной температуре.................................... 5
3.2. При повышенной...................................................... 6
4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
5. Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6
6. Определение сопротивления базы rб................................... 9
6.1. Приближенное.......................................................... 9
6.2. Точное....................................................................... 9
7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10
8. Библиографический список................................................ 10
9. Затраты времени на:........................................................... 10
9.1. Информационный поиск........................................ 10
9.2. Расчеты................................................................... 10
9.3. Оформление............................................................ 10
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
Рисунок 1
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
|   Предельные значения параметров при Т=25˚С  |    Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С  |    Значения параметров при Т= 25˚С  |    R т п-к, ˚С/Вт  |  |||||||||||
|   I пр, ср max А  |    Uобр, и, п мах, В  |    Uобр мах, В  |    Iпрг (Iпр, уд)мах, А  |    fмах, кГц  |    Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В  |    tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс  |    I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА  |  |||||||
|   Т˚С  |  tи(tпр), мс |   Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А  |    Iпр, и, А  |    Uпр, и, В  |  ||||||||||
|   10  |    85  |    200  |    200  |    100  |    10  |    100  |    140  |    1  |    10  |    0,3  |    1  |    20  |    0,2  |    1,5  |  
| Зависимость r~ от Uпр | |||||||
| Uпр |   0,1  |    0,2  |    0,3  |    0,4  |    0,5  |  ||
| r~ |   0,1  |    0,0666667  |    0,05  |    0,044444  |    0,038462  |  ||
|    |  
| Зависимость R= от Uобр | ||||||||
| Uобр |   50  |    100  |    150  |    200  |    250  |    300  |  ||
|    R=  |    3571429  |    6666666,7  |    8333333  |    4878049  |    2777778  |    1304348  |  ||
| Зависимость r~ от Uобр | |||||||
|    Uобр  |    50  |    100  |    150  |    200  |    250  |  ||
| r~ |   50000000  |    25000000  |    5555556  |    2631579  |    1157407  |  ||
| Зависимость Cдиф от Uпр | ||||
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
Сдиф
0,08
0,12
0,2
0,32
0,44
0,6