Параметр | |
Коэффициент усиления по напряжению Коу | 50*103 |
Разность входных токов Δiвх , нА | 0,2 |
Внутреннее напряжения смещения Uвн, мВ | 2 |
Тепловой дрейф внутреннего напряжения смещения мкВ/0С | 6 |
Тепловой дрейф разности входных токов мА/0С | 0 |
Максимальное напряжение на выходе ОУ Uвых max ОУ , В | 10 |
Номинальное напряжение питания Uu , В | ±15 |
диапазон выходных напряжений:
где: D – динамический диапазон, дБ;
Uвых max – максимальное выходное напряжение, В;
Uвых min – минимальное выходное напряжение, В.
Минимальное выходное напряжение операционного усилителя ограниченно напряжением смещения нуля, вызванное разностью входных токов, внутренним смещением операционного усилителя и их тепловыми дрейфами.
Определим допустимое напряжение смещения приложенное к входу ОУ и нулевой точкой Rвхо.
Определим напряжение смещения операционного усилителя от разности входных токов:
Определим напряжение смещения операционного усилителя, вызванное внутренним смещением операционного усилителя:
Операционный усилитель К140УД14 выбран правильно.
3.1 Упрощение логической функции, пользуясь алгеброй логики
Упрощают логическую функцию, пользуясь правилами и законами алгебры логики:
а) Инверсия
если
если
б) Логическое сложение (дизъюнкция):
в) Логическое умножение (конъюнкция):
г) Переместительный закон:
е) Распределительный закон:
ж) Правило склеивания:
з) Правило двойного отрицания:
и) Теорема де Моргана:
Решение:
1. Упростим функцию:
3.2 Составление таблицы истинности
2.Составим таблицу истинности:
X | Y | Z | F |
0 | 0 | 0 | 0 |
0 | 0 | 1 | 0 |
0 | 1 | 0 | 0 |
0 | 1 | 1 | 0 |
1 | 0 | 0 | 0 |
1 | 0 | 1 | 1 |
1 | 1 | 0 | 1 |
1 | 1 | 1 | 1 |
3.3 Разработка функциональной электрической схемы на базовых элементах
3. Разработаем электрическую схему:
Целью и задачей курсовой работы является изучение принципов построения действия проектирования электронных устройств, построенных на базе полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. А так же: устройство, принцип действия, параметры и характеристики полупроводниковых приборов и интегральных микросхем; принцип построения, принцип действия и методы проектирования электронных устройств, построенных на базе полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, микропроцессоров и устройств связи; параметры и характеристики электронных устройств; принцип расчета основных электронных схем и устройств; понимать электронные схемы, определять по условным обозначениям и справочникам параметры электронных элементов, уметь строить и рассчитывать устройства, выполненные на этих элементах; грамотно производить выбор стандартной электронной аппаратуры в зависимости от конкретных требований.
1. Забродин Ю. С. Промышленная электроника М.: Высшая школа, 1982.
2. Герасимов В. Г. Основы промышленной электроники М.: Высшая школа, 1986.
3. Гусев В. Г., Гусев Ю, М. Электроника М.: Высшая школа, 1991.
4. Савельев А. Я. Электронные вычислительные машины М.: Высшая школа, 1987.
5. Жеребцов И. П. Основы электроники Л,: Энергоиздат, 1989.
6. Ефимов И. Е., Козырь И. Я. Основы микроэлектроники М.: Высшая школа, 1988.