Усилитель промежуточной частоты (стр. 2 из 4)

Таким образом, подставляя исходные данные в формулы (3) – (5) получаем следующее:

;

Определим среднее значение и половину поля рассевания относительной погрешности сопротивления, вызванное старением резистивного материала по формулам:

(7);

(6),

где

- среднее значение коэффициента старения резистивной пленки сопротивления.

- половина поля рассеяния коэффициента старения сопротивления резистивной пленки.

;

(7).

;

(8).

Таким образом, получаем следующее:

(9);

;

(10)

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния суммарной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

;

(11)

где:

Положив М_RПР = 0, тогда:

;

(12)

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:

(13)

Подставим вычисленные выше значения в данную формулу, получим:

Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы, по следующей формуле:

(14)

Подставим значения и получим:

Определим расчетное значение коэффициента форм резистора:

(15)

Определим ширину резистивной пленки:

мм.

мм. (16)

мм.

мм.(17)

мм.

(18)

Определим сопротивление контактного перехода резистора:

(19)

(20)

Проверим следующее условие:

(21)

Определим длину резистора:

мм.

мм.(22)

Теперь определим среднее значение коэффициента формы:

(23)

Определим среднее значение М_RПР и половину поля рассеяния d_RПР относительной производственной погрешности:

(24)

% (24)

(25)

(26)

(27)

Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:

% (28)

% (29)

% (30)

Определяем длину резистивной пленки и площадь резистора:

мм.

мм². (31)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

(32)

(33)

Подобно этому расчету рассчитываем остальные резисторы, а результаты заносим в таблицу №1.

Таблица №1

Резисторы	L,мм	b, мм	S, мм	P, мВт
R1, R10	2.6	0.2	0.52	0.22
R2	1.7	0.2	0.34	0.17
R3	1.2	0.2	0.24	0.06
R4, R7	3.2	0.2	0.64	0.32/0.39
R5	0.9	0.35	0.315	0.11
R6	0.55	0.7	0.385	0.26
R8	0.4	0.65	0.26	0.19
R9	0.75	0.2	0.15	0.35

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.