Архитектура ЭВМ (стр. 5 из 6)
В основу обозначения полупроводниковых диодов(отраслей) ГОСТ ОСТ 1336.919-81 положен буквенно-цифровой код.
1-й элемент(цифра или буква) – обозначаем исходный полупроводниковый материал:
Г(1) – германий и его соединения
К(2) – кремний и его соединения
А(3) –галлий и его соединения
Н(4) – индий и его соединения
2-й элемент(буква) – обозначает подкласс прибора
Д-диод
А-СВЧ диоды
Ц - Выпрямительные столбы и блоки
В - варикап
И-тоннельные диоды
С-стабилитроны
Г-генераторы
Л-излучающие оптоэлектронные диоды
О-оптопары
3-й элемент(цифра) – основные функции возможности прибора, наиболее характерны эксплуатационные приборы.
4-й элемент
От 0,1 до 99
От 101 до 999
5-й элемент(буква) – условно определяющая классификацию приборов, изготовленных по единой технологии.
Пример обозначения:
2Ф204В
2-кремниевый
Ф - выпрямительный
2- хар-р эксплуатационные
04- порядковый номер разработки
В-разбраковка по параметрам
Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, преобразования эл. Сигналов.
| Марка | Расшифровка | 1 пр. ток А | I обр. ток А | U обр. ток В |
| АЛ-102А | Галийный излучающий опто – электронный диод | 10 мА. | - | 2 В. |
| КД202А | Кремниевый диод характерные эксплуатац. Признаки | 5 А | 0,8 мА | 50 В |
| Д814Д | Диод параметрический кремневый (стабилитрон) | 24 мА. | - | 13 – 14 В. |
| КС156А | Кремневый стабилитрон | 10 мА. | - | 5,6 В. |
| Д814Д | Стабилитрон кремниевый сплавной | 24 мА | 0,1 мкА | 13-14 В |
| Д223Б | Диод кремниевый сплавной | 300 мА | 1 мкА | 150 В |
3.4 Основные параметры биполярных транзисторов
| Наименование параметра | Обозначение | |
| Отеч. | Заруб. | |
| Напряжение между выводами транзисторов:База-Коллектор База-Эмитор Коллектор-Эмитор | UбкUкэ | UbcUce |
| Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор из заданного сопротивления в цепи База-Эмитор | Uкэr | Ucer |
| Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор при разомкнутой цепи Базы | Uкэо | Uceo |
| Максимально допустимое постоянное напряжение Коллектор-Эмитор | Uкэ мах | Uce max |
| Постоянный ток вывода в транзисторы: Базы | Iб | Ib |
| Эмиторы | Iэ | Ie |
| Коллекторы | Iк | Ic |
| Максимально допустимый ток коллектора | Iк мах | Ic max |
| Обратный ток коллектора | Iкоб | Icr |
| Обратный ток эмитора | Iэоб | Ier |
| Коэффициент усиления потоку | h э | hfe |
Полевые транзисторы.
Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем, усилительные свойства которого условленны потоком основных носителей, протекающих через проводящие каналы.
Основой полевого транзистора является канал с электропроводимостью N или P типа, созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами. Сопротивлением канала управляет электрод(затвор), соединенный с его средней частью P-N перехода. Электрод, через который проводящий канал втекают носители заряда, через который из канала вытекают носители заряда, называются стоком.
Iис = Ic
Ток полевого транзистора обусловлен носителями заряда только одной полярности:
P- позитив дырки
N- негатив электрона
При подаче запирающего напряжения в затворе сток, объем проводящего канала уменьшается за счет вытеснения основных носителей полем P-N перехода. Чем выше запирающее напряжение, тем меньше ток, протекающий от истока к стоку.
Т.к. входной электрод(P-N переход) постоянно заперт, входное сопротивление транзистора очень высоко.
Существует 2 типа полевых транзисторов, которые различаются принципами управления носителей зарядов.
Эти транзисторы:
– с изолированным затвором(МДП,МОП)
– с управляющим P-N переходом.
МДП и МОП транзисторы называются транзисторами с изолированным затвором, в принципе действия лежит эффект поля, представляющий собой изменения величины и знака электропроводности на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения .
Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор электрич. изолированный от проводящего канала и подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимости от полярности напряжения приложенного к затвору электропроводность канала полевого транзистора может уменьшаться(при подаче запирающего напряжения) канал работает в режиме обеднения основными носителями или увеличения(канал работает в режиме обогащения).
Входное сопротивление МДП,МОП транзисторов значительно больше чем полевых транзисторов с P-N переходом и составляет МОм и ГОм.
Графическое обозначение транзистора.
Биполярные
Однопереходные транзисторы
– полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с P-каналом и с внутренним соединением подложки и истока.
Классификация системы обозначений транзисторов.
Согласно стандарту ОСТ 11.336.919-81 положено буквенно-числовое обозначение транзисторов:
1. буква или цифра
1 Г – германий и его соединения
2 К – кремний и его соединения
А – галлий и его соединения
И – для соединений И
2. Для обозначения подклассов транзистора:
Т –для биполярных
П –для полевых
3. Цифра
1-маломощные транзисторы
2-маломощные средней частоты
3-маломощныевысокочастотные
4-средней мощности низкочастотные
5-средней мощности среднечастотные
6-средней мощности высокочастотные
7-большой мощности
8-большой мощности средней частоты
9-большой мощности высокочастотные
4. Цифра от 0,1 до 999 номер порядковой разработки
5. Буквы русского алфавита от А до Я, кроме З,О,Ч
6. Классификация по электрическим параметрам транзистора
7. Цифра – обозначает конструктивные особенности транзистора
Примеры:
ГТ101А – германиевый биполярный маломощный низкочастотный, № разработки 01,гр. А
2Т339А-2 – кремниевый биполярный маломощный высокочастотный, №39, гр. А
Стары обозначения до 61 года.
Состоит из 2-х или 3-х элементов.
1-й элемент(буква) П- характеризует класс биполярных транзисторов МП – корпус металлический, способом холодной сварки
2-й элемент (цифра) от 1 до 99
1-99 германиевые маломощные низкочастотные
101-199 кремниевые маломощные низкочастотные
201-299 германиевые мощные низкочастотные
301-399 кремниевые мощные низкочастотные
401-499 германиевые маломощные ВЧ,СВЧ
501-599 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ
601-699 германиевые мощные ВЧ,СВЧ
701-799 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ
3-й элемент. Классификация по параметрам(буква)
| Тип транзистора | Расшифровка | Uкэ max. | Iк max | B | Ƒгр | P max |
| КТ3102А | Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам. | 30В | 300 мА | 350 | 300мГц | 500 мВт |
| КТ315Б | Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам. | 20 В | 100 мА | 50-350 | 270 мГц | 150 мВт |
| КТ812Б | Кремневый, биполярный, большой мощности СЧ, парам. | 300 В | 8 А | 80 | 6-12 мГц | 50 мВт |
| П609 | биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. | 25 В | 300 мА | 60 | 120 мГц | 1 Вт |
| КТ203Б | Кремневый, биполярный, маломощный транзистор, СЧ, парам. | 30 В | 10 мА | 30-90 | 10 мГц | 150 мВт |
| П416 | биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. Парметр. | 15 В | 25 мА | 90-200 | 80 мГц | 100 мВт |
| КТ209 | Кремневый, биполярный, маломощный СЧ. | 45 В | 300 мА | 80 | 10 мГц | 200 мВт |
3.5 Интегральная схема
Интегральная микросхема – это микроэлектронное устройство, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов соединительных элементов, имеющих высокую плотность, которая с точки зрения требования к испытанию, приемки, постановки и эксплуатаций рассматривается как единое целое. Элемент интегральной микросхемы - это часть интегральной схемы, реализующая функций какого-либо электра-радиоэлемента; эта часть выполняется нераздельно от других частей и не может быть выделена как самостоятельный компонент. Компонент интегральной микросхемы, в отличие, от элемента может быть выделен как самостоятельное изделие.
3.5.1 ИС подразделяются на:
1) пленочные. Те, в которых все межэлементные соединения и сами элементы выполнены в виде токопроводящих пленок, изолированными диэлектрическими материалами.
2) полупроводниковые. Те, в которых все элементы и соединения выполнены на поверхности и в объеме полупроводникового кристалла.
3) гибридные. Те, в которых на подложке содержатся как простые дискретные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, и транзисторы), так и кристаллы полупроводниковых микросхем.
3.5.2 В зависимости от требований исполнения они могут быть:
1) заказные. На основе стандартных или специальных элементов по функциональной схеме заказчика.
2) полузаказные. На основе базовых матричных кристаллов, имеющих определенный набор сформированных элементов.
3) общего применения (определенного функционального назначения).
3.5.3 Обозначение интегральных микросхем:
Условное обозначение интегральных микросхем включает в себя основные классификационные признаки. Оно состоит из четырех элементов:
· Первый элемент – эта цифра соответствующая конструктивно технологической группе