С учетом формулы (4.2) получим:
где
Учет влияния режима работы и условий эксплуатации изделия при расчетах производится с помощью поправочного коэффициента
где
Для точной оценки
где
Все
После этого можно определить значение суммарной интенсивности отказов элементов изделия по формуле:
где
Исходные данные по группам элементов, необходимые для расчета показателей надежности приведены в таблице 4.2.
Таблица 4.2 - Справочные и расчетные данные об элементах конструкции
| Наименование Группы | | | | | | | | |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
1 | Конденсаторы | 7 | 0.15 | 0.35 | 1.07 | 0.38 | 0.97 | 1.1 | 8.6 |
2 | Аналоговые Микросхемы | 10 | 0.02 | 0.7 | 1.07 | 0.75 | 0.05 | 0.5 | 0.4 |
3 | Цифровые микросхемы | 2 | 0.02 | 0.7 | 1.07 | 0.75 | 0.50 | 0.5 | 14 |
4 | Транзисторы | 3 | 0.09 | 1 | 2 | 2 | 1.8 | 0.5 | 16 |
5 | Диоды КД521А | 2 | 0.04 | 1 | 2 | 2 | 0.8 | 0.5 | 7 |
6 | Резисторы С2-23СП3-19 | 147 | 0.010.05 | 0.40.4 | 22 | 0.80.8 | 0.080.4 | 1.11.1 | 0.73.5 |
7 | РазъемМногоштырьковый(25,45 штырей) | 2 | 3.2 | 0.7 | 1.07 | 0.75 | 4.8 | 1.2 | 42 |
8 | Соединения пайкой | 390 | 0.01 | 0.8 | 1.07 | 0.86 | 7.1 | 1.2 | 62.8 |
9 | Плата печатная | 1 | 0.2 | 0.6 | 1.07 | 0.64 | 0.13 | 3.2 | 28.3 |
Воспользовавшись данными табл. 4.2 по формуле (4.7) можно определить суммарную интенсивность отказов
Далее найдем среднюю наработку на отказ
Итак, имеем:
Вероятность безотказной работы определяется исходя из формулы (4.4), приведенной к следующему виду:
где
Итак, имеем:
Среднее время восстановления определяется последующей формуле:
где
Подставив значения в формулу (4.6), получим среднее время восстановления
Далее можно определить вероятность восстановления по формуле:
где
Следовательно, по формуле (4.11) определим
Таким образом, полученные данные удовлетворяют требованиям ТЗ по надежности, так как при заданном времени непрерывной работы
5. Конструкторская разработка узлов УСТРОЙСТВА СОПРЯЖЕНИЯ с использованием САПР
В настоящее время во всем мире наблюдается резкое увеличение производства электронной аппаратуры (ЭА) и повышение ее возможностей. Особенно это связано с последними успехами в области микроэлектроники.