Стенд проверки устройства контроля свободности железнодорожного перегона (стр. 3 из 8)

Р1.1 КМ1816ВЕ751 Р0.0 39

3 Р1.2 Р0.1 38

4 Р1.3 Р0.2 37

5 Р1.4 Р0.3 36

6 Р1.5 Р0.4 35

7 Р1.6 Р0.5 34

8 Р1.7 Р0.6 33

Р0.7 32

9 RST

10 P3.0 DEMA 31

11 P3.1 ALE 30

12 P3.2 PME 29

13 P3.3 Р2.7 28

14 P3.4 Р2.6 27

15 P3.5 Р2.5 26

16 P3.6 Р2.4 25

17 P3.7 Р2.3 24

18 BQ2 Р2.2 23

19 BQ1 Р2.1 22

20 GND Р2.0 21

Рис.4.1 Цоколевка корпуса МК751 и наименование выводов

Весь машинный цикл состоит из двенадцати фаз. Дважды за один машинный цикл формируется сигнал ALE, который используется для управления процессом обращения к внешней памяти и индикации. Большинство команд контроллера выполняются за один машинный цикл, кроме команд, связанных с обращением к внешней памяти.

По выводам P1.0 ... P1.3 порта P1 подаются последователь- ности импульсов 1Т1, 2Т1, 1Т2, 2Т2 на зоны имитаторов путевых датчиков. Выводами Р1.4 … Р1.6 в определенный момент подключаются нужные имитаторы ИМ1 и ИМ4, ИМ2 и ИМ5 или ИМ3 и ИМ6. На вывод Р1.7 приходит сигнал о разряде батареи, питающей внешнюю память.

С помощью выводов Р3.0, Р3.1 контроллер управляет индикатором. С вывода Р3.2 подается стробирующий сигнал запуска печати на разъем принтера. Перед началом цикла прогона, через вывод Р3.3, подается сигнал низкого логического уровня ИВ длительностью импульса 1с. на счетно-решающий прибор СРП для сброса информации при сбое. С вывода Р3.4 подается сигнал низкого уровня РЦ на счетные пункты СП1, СП2. Выводы Р3.6 и Р3.7 предназначены для стробирующих сигналов записи во внешнюю память данных WR и чтения из внешней памяти данных RD. Формирование сигналов РЦ для счетных пунктов СП1, СП2 показано на рис.4.2, сигнала ИВ для счетно-решающего прибора СРП – на рис.4.3.

4.1.2 ОРГАНИЗАЦИЯ ВНЕШНЕЙ ПАМЯТИ

При работе микроконтроллера с внешней памятью используется внешний адресный регистр DD5, в котором по спаду сигнала ALE записываются адреса внешней памяти контроллера. Внешняя оперативная память данных выполнена на микросхеме DD6. При подаче сигнала WR во внешнюю память записывается информация, а при подаче сигнала RD из внешней памяти считывается информация. Для питания внешней памяти предназначена микросхема DD7.При включении питания на выходе микросхемы появляется сигнал низкого логического уровня RES, который инвертируется с помощью микросхемы DD8.1 и подается на микроконтроллер. Организация внешней памяти показана на рис.4.4.

DD2

1 1 2 R1

РЦ

3 4 DA1

1 1

5 1 6

+15V СП

2 3

9 1 8

11 10

1

13 1 12

Рис.4.2 Формирование сигналов РЦ

DD3

1 1 2 R2 DA2 ИВ