3)
В4)
ГцОбрані транзистори ГТ402А, ГТ404А задовольняють умовам, які наведені вище.
Таблиця 1.2 Параметри транзисторів ГТ402А, ГТ404А
Тип | Структура | МГц | Макс. доп. Параметри | |||
Ркмакст, Вт | Iк, А | Uкэ, В | ||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
ГТ402А | р-n-р | 1 | 4 | 0,5 | 25 | 30 |
ГТ404А | n-р-n |
Перевіримо умову:
ГцРисунок 2. Вхідні та вихідні характеристики транзистора КТ817А
За амплітудою базового струму за допомогою вхідної характеристики визначається амплітуда вхідної напруги
=1,1-0,65=0,45В, а за ними - вхідний опір вихідного каскаду Ом і величина ЕРС передкінцевого каскаду з вихідним опором Ом ВКоефіцієнт підсилення кінцевого каскаду за потужністю орієнтовано визначається за формулою:
;Орієнтовано коефіцієнт підсилення вихідного каскаду за напругою дорівнює:
;1.3 Попередній розрахунок вхідного і проміжного каскадів
Попередній розрахунок вхідного і проміжного каскадів полягає у визначенні числа каскадів, типів і схем включення транзисторів чи мікросхем.
Амплітуда вхідної напруги і струму кінцевого каскаду:
ВДля передкінцевого каскаду вибирається транзистор з потужністю, яка розсіюється на колекторі ( стоці ),
Вт,і максимально припустимим струмом колектора ( стоку ),
Аі максимально допустимою напругою колектор емітер:
ВОбраний транзистор КТ815В задовольняє умовам, які наведені вище.
Таблиця 1.3 Параметри транзистора КТ815А
Тип | Структура | МГц | Макс. доп. Параметри | |||
Ркмакст, Вт | Iк, А | Uкэ, В | ||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
КТ815В | n-p-n | 3 | 1 | 1,5 | 60 | 40 |
Перевіримо умову:
ГцКоефіцієнти підсилення проміжного каскаду по потужності та напрузі:
Амплітуда вхідного струму передкінцевого каскаду:
ААмплітуда вхідної напруги передкінцевого каскаду:
ВВхідний опір передкінцевого каскаду:
ОмМікросхеми для вхідного і проміжного каскадів вибирають за величинами вхідного струму, напруги й опору наступного каскаду. У використовуваної мікросхеми припустимий опір навантаження повинен бути менше, а величини максимальної вихідної напруги і струму (
і )- більше відповідних вхідних величин наступного каскаду.Умови вибору мікросхеми:
Параметри обраної мікросхеми представлені в таблиці 1.4
Таблиця 1.4 Параметри мікросхеми КР140УД1
Тип | Коефіцієнт підсилення, тис | Частота одиничного посилення, МГц | Швидкість наростання вихідної напруги, V В/мкс | Максимальний струм, мА | Максимальна напруга, В | Мінімальний опір, кОм | Напруга живлення, В | Струм споживання, мА | Максимальна вхідна напруга, В | Вхідний опір, кОм | Вихідний опір, Ом |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | |
КР140УД1 | 2 | 5 | 0,5 | 3 | 6 | 1 | 12,6 | 8 | 1,5 | 300 | 100 |
Перевіримо умову вибору:
Гц1.4 Розподіл спотворень по каскадах
Нелінійні спотворення цілком відносять на вихідних каскад. Щоб забезпечити малий рівень нелінійних спотворень у проміжних каскадах величини струму колектора і напруги колектор-емітер у робочій точці вибирають у 1,3…1,7 рази більше амплітуд перемінних складових струму і напруги.
Орієнтовно рівень нелінійних спотворень кінцевого каскаду можна оцінити за коефіцієнтами підсилення по струму в точках “P”, “M”.
, А, А, , А, А, , ; %Величина коефіцієнта нелінійних спотворень (КНС)
оцінюється за співвідношенням цих коефіцієнтів для двотактного каскаду з режимом В- вище приблизно в 1,5 рази. < 2%Отже місцевий НЗЗ не потрібний.
Лінійні спотворення в області нижніх частот вносяться розділовими і блокувальними конденсаторами, а також трансформаторами ( при їх наявності). Знаючи число і тип каскадів, можна визначити число елементів, що вносять спотворення, і сумарну величину спотворень:
дБ дБТак як
, то не треба вводити НЗЗ.Спотворення в області верхніх частот:
дБ, дБ, дБ;де
.Сумарна величина спотворень
(дБ) повинна бути менше припустимої дБ.0,24 дБ < 2 дБ, отже НЗЗ не потрібний.
2 Вибір схеми і розрахунок кінцевого каскаду