Постійні запам’ятовувальні пристрої (стр. 2 из 2)

Рис. 8. УГП ПЗП з електричним стиранням.

FLASH пам’ять.

Зараз набув дуже широкого розповсюдження новий клас ПЗП з електричним стиранням, який отримав назву флеш-пам'яті (від англійського flash – спалах, блискавка). Його в певній мірі можна розглядати як симбіоз ОЗП та ПЗП, через те, що він має швидкодію, що наближується до показників ОЗП, і в той же час є енергонезалежним ЗП ЕЕРROM (УГП зображено на рис. 9).

Справа у тому, що комірки пам'яті у ОЗП та ПЗП мають вигляд двомірного масиву, що дозволяє читати і писати кожен біт окремо. На відміну від них, флеш-пам'ять, яка вперше була запропонована компанією TOSHIBA виготовлена у вигляді блоків місткістю від 512 б до 256 Кб. Такі блоки записуються та стираються за один машинний такт, через що вони працюють набагато швидше ніж ПЗП з електричним стиранням. Крім того, для запису даних до флеш-пам'яті не потрібна додаткова напруга, що дає змогу робити це там, де вона встановлена. В той же час для запису ПЗП з електричним стиранням потрібне спеціальне обладнання. Нажаль цей тип пам'яті не придатний для використання у якості ОЗП, якщо передбачається побайтовий запис інформації. Справа в тому, що для зміни одного байту потрібно переписати в буфер увесь блок, де утримається цей байт, потім стерти вміст блоку, змінити вміст байта, після чого провести запис зміненого в буфері блоку. Така схема значно знижує швидкість запису невеликих об’ємів інформації в довільні ділянки пам’яті, але ж значно збільшує швидкодію при послідовному запису даних великими порціями. Її життєвий цикл суттєво менший за цикл мікросхем ОЗП – усього лиш 100-300 тисяч циклів перезапису. Флеш-пам'ять використовують для запису програми BIOS (таким чином спрощується її модернізація – upgrade), там де неможливо використовувати накопичувачі на жорстких дисках. Цей тип пам'яті випускають у вигляді так-званих флеш-карт з обсягом до одиниць Гб, які застосовуються у сучасних кишенькових комп'ютерах, цифрових фотокамерах та диктофонах, електронних органайзерах.

Організація FLASH пам’яті.

Комірка FLASH- пам’яті складається із МОН транзистора з плаваючим затвором, тобто за технологією виготовлення подібна комірці пам’яті ЕРROM та ЕЕРROM ПЗП. Але ж за рахунок застосування надтонкого шару діелектрика запис та стирання (інжекція заряду методом СНЕ (channel hot electrons) або його екстракція методами тунелювання) здійснюється без застосування підвищених напруг. Одна комірка зберігає один біт інформації (в сучасних розробках два, так звані багаторівневі комірки MLC) і, як правило, наявність заряду сприймається як логічний 0, відсутність як логічна 1.

При читанні, в відсутності заряду на плаваючому затворі, під дією додатного поля на керуючому затворі, утворюється n-канал між витоком і стоком, і виникає струм (логічна 1). При наявності заряду канал не з’являється і струм не виникає (логічний 0).

Архітектура (організація з’єднань між комірками) FLASH пам’яті.

Найбільш розповсюдженими на даний момент є мікросхеми з організацією NOR і NAND.

Архітектура NOR (NOТ OR, АБО-НІ).

Кожна комірка підключена до двох перпендикулярних ліній – бітів (bit line) та слів (word line) (рис. 10). Усі комірки пам’яті NOR, згідно правилам, підключені до своїх бітових ліній паралельно. Суть логічної операції NOR – в переході лінії бітів у стан 0, якщо хоча б один з транзисторів-комірок, приєднаних до неї, проводить струм. Селекція комірки здійснюється за допомогою лінії слів.

Інтерфейс паралельний. Довільне читання та запис. Швидкий довільний доступ, можливість запису побайтно. Відносно повільний запис і стирання.

Рис. 10. Структура комірки FLASH- пам’яті.

Архітектура NAND (NOТ AND, ТА-НІ).

В цьому випадку бітова лінія переходить у стан 0, якщо всі транзистори, які підключені до неї проводять струм. Комірки приєднуються до бітової лінії серіями, що знижує швидкість операції читання (зменшується струм кожної комірки), але ж підвищується швидкість стирання та програмування. Для зменшення негативного ефекту низької швидкості читання, чіпи NAND мають внутрішній регістровий кеш. В цій архітектурі більш компактна упаковка ніж в паралельній архітектурі NOR.

Інтерфейс послідовний. Швидкий запис та стирання, невеликий розмір блока. Повільний довільний доступ, але ж невеликими блоками. Немає можливості запису побайтно.

АрхітектуриAND (ТА), DINOR(DIVIDED BIT-LINE NOR, АБО-НІ з розділеними розрядними лініями).

Типи пам’яті, які комбінують найкращі властивості властивостей NOR і NAND. Невеликий розмір блоку, мультиблочне стирання, зберігає комірки від пережигання.

У заключній частині заняття викладач підводить підсумки заняття, звертає увагу курсантів на основні питання, винесені на заняття, рекомендує, які питання буде доцільно додатково розглянути на самостійній підготовці та повідомляє перелік рекомендованої літератури. Крім того, слід підкреслити, що наступне заняття є семінарським та видати план його проведення.

ВИСНОВОК

Постійні запам'ятовуючі пристрої (ПЗП) є важливою частиною мікропроцесорних систем (МПС). Вони призначені для зберігання та читання інформації, яка використовується процесором.

Розрізняють такі типи ПЗП:

· ROM;

· РROM;

· ЕРROM;

· ЕЕРROM;

· FLASH пам’ять.

Постійна пам’ять є енергонезалежною, тобто інформація в ПЗП не зникає після знеструмлення комп’ютера. Область використання ПЗП – це BIOS, карти пам’яті.

ПЗП, постійно вдосконалюються на технологічному, апаратному, архітектурному рівнях.