Подсистема памяти современных компьютеров (стр. 2 из 9)
Замещение блока кэш-памяти при промахе
При возникновении промаха, контроллер кэш-памяти должен выбрать подлежащий замещению блок. Польза от использования организации с прямым отображением заключается в том, что аппаратные решения здесь наиболее простые. Выбирать просто нечего: на попадание проверяется только один блок и только этот блок может быть замещен. При полностью ассоциативной или множественно-ассоциативной организации кэш-памяти имеются несколько блоков, из которых надо выбрать кандидата в случае промаха. Как правило для замещения блоков применяются две основных стратегии: случайная и LRU.
В первом случае, чтобы иметь равномерное распределение, блоки-кандидаты выбираются случайно. В некоторых системах, чтобы получить воспроизводимое поведение, которое особенно полезно во время отладки аппаратуры, используют псевдослучайный алгоритм замещения.
Во втором случае, чтобы уменьшить вероятность выбрасывания информации, которая скоро может потребоваться, все обращения к блокам фиксируются. Заменяется тот блок, который не использовался дольше всех (LRU - Least-Recently Used).
Достоинство случайного способа заключается в том, что его проще реализовать в аппаратуре. Когда количество блоков для поддержания трассы увеличивается, алгоритм LRU становится все более дорогим и часто только приближенным.
Различия в долях промахов при использовании алгоритма замещения LRU
и случайного алгоритма (при нескольких размерах кэша и разных ассоциативностях при размере блока 16 байт):
| Ассоциативность: | 2-канальная | 4-канальная | 8-канальная |
| Размер кэш-памяти | LRU, Random | LRU, Random | LRU, Random |
| 16 KB | 5.18%, 5.69% | 4.67%, 5.29% | 4.39%, 4.96% |
| 64 KB | 1.88%, 2.01% | 1.54%, 1.66% | 1.39%, 1.53% |
| 256 KB | 1.15%, 1.17% | 1.13%, 1.13% | 1.12%, 1.12% |
Что происходит во время записи
При обращениях к кэш-памяти на реальных программах преобладают обращения по чтению. Все обращения за командами являются обращениями по чтению и большинство команд не пишут в память. Обычно операции записи составляют менее 10% общего трафика памяти. Желание сделать общий случай более быстрым означает оптимизацию кэш-памяти для выполнения операций чтения, однако при реализации высокопроизводительной обработки данных нельзя пренебрегать и скоростью операций записи.
К счастью, общий случай является и более простым. Блок из кэш-памяти может быть прочитан в то же самое время, когда читается и сравнивается его тег. Таким образом, чтение блока начинается сразу как только становится доступным адрес блока. Если чтение происходит с попаданием, то блок немедленно направляется в процессор. Если же происходит промах, то от заранее считанного блока нет никакой пользы, правда нет и никакого вреда.
Однако при выполнении операции записи ситуация коренным образом меняется. Именно процессор определяет размер записи (обычно от 1 до 8 байтов) и только эта часть блока может быть изменена. В общем случае это подразумевает выполнение над блоком последовательности операций чтение-модификация-запись: чтение оригинала блока, модификацию его части и запись нового значения блока. Более того, модификация блока не может начинаться до тех пор, пока проверяется тег, чтобы убедиться в том, что обращение является попаданием. Поскольку проверка тегов не может выполняться параллельно с другой работой, то операции записи отнимают больше времени, чем операции чтения.
Очень часто организация кэш-памяти в разных машинах отличается именно стратегией выполнения записи. Когда выполняется запись в кэш-память имеются две базовые возможности:
сквозная запись (write through, store through) - информация записывается в два места: в блок кэш-памяти и в блок более низкого уровня памяти.
запись с обратным копированием (write back, copy back, store in) - информация записывается только в блок кэш-памяти. Модифицированный блок кэш-памяти записывается в основную память только когда он замещается. Для сокращения частоты копирования блоков при замещении обычно с каждым блоком кэш-памяти связывается так называемый бит модификации (dirty bit). Этот бит состояния показывает был ли модифицирован блок, находящийся в кэш-памяти. Если он не модифицировался, то обратное копирование отменяется, поскольку более низкий уровень содержит ту же самую информацию, что и кэш-память.
Оба подхода к организации записи имеют свои преимущества и недостатки. При записи с обратным копированием операции записи выполняются со скоростью кэш-памяти, и несколько записей в один и тот же блок требуют только одной записи в память более низкого уровня. Поскольку в этом случае обращения к основной памяти происходят реже, вообще говоря требуется меньшая полоса пропускания памяти, что очень привлекательно для мультипроцессорных систем. При сквозной записи промахи по чтению не влияют на записи в более высокий уровень, и, кроме того, сквозная запись проще для реализации, чем запись с обратным копированием. Сквозная запись имеет также преимущество в том, что основная память имеет наиболее свежую копию данных. Это важно в мультипроцессорных системах, а также для организации ввода/вывода.
Когда процессор ожидает завершения записи при выполнении сквозной записи, то говорят, что он приостанавливается для записи (write stall). Общий прием минимизации остановов по записи связан с использованием буфера записи (write buffer), который позволяет процессору продолжить выполнение команд во время обновления содержимого памяти. Следует отметить, что остановы по записи могут возникать и при наличии буфера записи.
При промахе во время записи имеются две дополнительные возможности:
разместить запись в кэш-памяти (write allocate) (называется также выборкой при записи (fetch on write)). Блок загружается в кэш-память, вслед за чем выполняются действия аналогичные выполняющимся при выполнении записи с попаданием. Это похоже на промах при чтении.
не размещать запись в кэш-памяти (называется также записью в окружение (write around)). Блок модифицируется на более низком уровне и не загружается в кэш-память.
Обычно в кэш-памяти, реализующей запись с обратным копированием, используется размещение записи в кэш-памяти (в надежде, что последующая запись в этот блок будет перехвачена), а в кэш-памяти со сквозной записью размещение записи в кэш-памяти часто не используется (поскольку последующая запись в этот блок все равно пойдет в память).
Вполне понятно, что производительность компьютера непосредственно зависит от производительности процессора и производительности оперативной памяти. Теоретическая производительность (пропускная способность) памяти пропорциональна разрядности и тактовой частоте шины и обратно пропорциональна суммарной длительности пакетного цикла. Для повышения этой производительности увеличивают разрядность шины (так, начиная с P5 32-разрядные процессоры имеют 64-разрядную системную шину), тактовую частоту (с 66 МГц наконец-то поднялись до 100 с прицелом на 133 МГц). При этом, естественно, стремятся и к уменьшению числа тактов в пакетном цикле. Кроме того, шина P6 позволяет процессору выставить до 16 запросов конкурирующих транзакций, так что у подсистемы памяти есть теоретическая возможность “многостаночной” работы.
Динамическая память
Теперь посмотрим на оперативную память изнутри. На протяжении уже трех десятилетий в качестве основной памяти используют массивы ячеек динамической памяти. Каждая ячейка содержит всего лишь один КМОП-транзистор (комплементарные полевые траезисторы), благодаря чему достигается высокая плотность упаковки ячеек при низкой цене. Запоминающим элементом у них является конденсатор (емкость затвора), и ячейка может помнить свое состояние недолго — всего десятки миллисекунд. Для длительного хранения требуется регенерация — регулярное “освежение” (refresh) памяти, за что эта память и получила название “динамическая” — DRAM (Dynamic RAM). Ячейки организуются в двумерные матрицы, и для обращения к ячейке требуется последовательно подать два выбирающих сигнала — RAS# (Row Access Strobe, строб строки) и CAS# (Column Access Strobe, строб столбца). Временная диаграмма циклов чтения традиционной динамической памяти приведена на рисунке (циклы записи для простоты здесь рассматривать не будем). Микросхемы динамической памяти традиционно имеют мультиплексированную шину адреса (MA). Во время действия RAS# на ней должен быть адрес строки, во время действия CAS# — адрес столбца. Информация на выходе шины данных относительно начала цикла (сигнала RAS#) появится не раньше, чем через интервал TRAC, который называется временем доступа. Есть также минимальная задержка данных относительно импульса CAS# (TCAC), и минимально необходимые интервалы пассивности сигналов RAS# и CAS# (времена предзаряда). Все эти параметры и определяют предел производительности памяти. Ключевой параметр микросхем — время доступа — за всю историю удалось улучшить всего на порядок — с сотен до нескольких десятков наносекунд. За меньший исторический период только тактовая частота процессоров x86 выросла на 2 порядка, так что разрыв между потребностями процессоров и возможностями ячеек памяти увеличивается. Для преодоления этого разрыва, во-первых, увеличивают разрядность данных памяти, а во-вторых, строят вокруг массивов ячеек памяти разные хитрые оболочки, ускоряющие процесс доступа к данным. Все, даже “самые модные”, типы памяти — SDRAM, DDR SDRAM и Rambus DRAM имеют запоминающее ядро, которое обслуживается описанным выше способом.
Временная диаграмма чтения динамической памяти
Общий принцип доступа к данным
Массив данных представляет собой некое подобие координатной сетки, где есть положения по горизонтали (адрес строки) и по вертикали (адрес столбца). На пересечении каждого конкретного адреса строки и столбца находится единичный «строительный элемент» памяти – ячейка, которая представляет собой ключ (транзистор) и запоминающий элемент (конденсатор). Например, для чтения или записи одной ячейки памяти необходимо пять тактов. Сначала на шину выставляется адрес строки. Затем подается сигнал RAS#, который является своего рода контрольным сигналом, передающим полученный адрес для записи в специально отведенное место – регистр микросхемы памяти. После этого передается сигнал столбца, следующим тактом за которым идет сигнал подтверждения принимаемого адреса, но уже для столбца – CAS#. И, наконец следует операция чтения-записи в/из ячейки, контролируемая сигналом разрешения – WE#. Однако, если считываются соседние ячейки, то тогда нет необходимости передавать каждый раз адрес строки или столбца – процессор «надеется», что считываемые данные расположены по соседству. Поэтому, на считывание каждой последующей ячейки понадобится уже 3 такта системной шины. Отсюда и берут свое начало существование определенных схем функционирования (тайминги) отдельно взятой разновидности памяти: x-yyy-yyyy-..., где "x" – количество тактов шины, необходимое для чтение первого бита, а у – для всех последующих. Так, цикл доступа процессора к памяти состоит из двух фаз: запроса (Request) и ответа (Response). Фаза запроса состоит из трех действий: подача адреса, подача запроса (чтения-записи) и подтверждение (необязательно). В фазу ответа входит выдача запрашиваемых данных и подтверждение приема. Довольно часто происходит чтение четырех смежных ячеек, поэтому многие типы памяти специально оптимизированы для данного режима работы, и в сравнительных характеристиках быстродействия обычно приводится только количество циклов, необходимое для чтения первых четырех ячеек. Здесь речь идет о пакетной передаче, которая подразумевает подачу одного начального адреса и дальнейшую выборку по ячейкам в установленном порядке. Такого рода передача улучшает скорость доступа к участкам памяти с заранее определенными последовательными адресами. Обычно процессор вырабатывает адресные пакеты на четыре передачи данных по шине, поскольку предполагается, что система автоматически возвратит данные из указанной ячейки и трех следующих за ней. Преимущество такой схемы очевидно – на передачу четырех порций данных требуется всего одна фаза запроса. Например, для памяти типа FPM DRAM применяется самая простая схема 5-333-3333-... Для памяти типа EDO DRAM после первого считывания блока данных, увеличивается время доступности данных того ряда, к которому происходит доступ в настоящий момент, при этом уменьшая время получения пакета данных, и память уже может работать по схеме 5-222-2222-... Синхронная память типа SDRAM, в отличие от асинхронной (FPM и EDO), «свободна» от передачи в процессор сигнала подтверждения, и выдает и принимает данные в строго определенные моменты времени (только совместно с сигналом синхронизации системной шины), что исключает несогласованность между отдельными компонентами, упрощает систему управления и дает возможность перейти на более «короткую» схему работы: 5-111-1111-... Поэтому в рассматриваемом пункте меню настройки можно встретить варианты допустимых значений для циклов обращения к памяти: x333 или x444 – оптимально подходит для FPM DRAM, x222 или x333 – для EDO DRAM, и x111 или x222 – для SDRAM.